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    • 专利摘要:
    EinVerfahren zum Herstellen von magnetischen Direktzugriffsspeichern(MRAM) isoliert jede einzelne Speicherzelle in einem MRAM-Arraywährenddes Betriebs, bis sie ausgewähltwird. Manche Ausführungsbeispieleverwenden füreine derartige elektrische Isolierung in Reihe geschaltete Dioden.Dann führtlediglich eine ausgewählteder Speicherzellen Strom zwischen jeweiligen der Bit- und Wortleitungen.Es ergibt sich eine bessere, gleichmäßigere Verteilung von Lese-und Datenschreib-Datenzugriffsströmen auf alle Speicherzellen.Bei einem anderen Ausführungsbeispielwird diese Verbesserung verwendet, um die Anzahl von Reihen undSpalten zu erhöhen,um ein größeres Datenarrayzu unterstützen.Bei einem weiteren Ausführungsbeispielwird eine derartige Verbesserung verwendet, um Betriebsreservenzu erhöhenund notwendige Datenschreibspannungen und -ströme zu verringern.
    公开号:DE102004029955A1
    申请号:DE102004029955
    申请日:2004-06-21
    公开日:2005-04-14
    发明作者:James R. Jr. Palo Alto Eaton；Kenneth J. Eldredge；Frederick A. Palo Alto Perner；Lung T. Saratoga Tran
    申请人:Hewlett Packard Development Co LP；
    IPC主号:H01L27-105
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf Magnetspeichervorrichtungsarraysund insbesondere auf Techniken und Schaltungen zum Erhöhen derpraktischen Größe derartigerArrays.
    [0002] Übliche Zielefür vieleSpeichervorrichtungen bestehen darin, daß sie eine hohe Dichte undeine hohe Geschwindigkeit aufweisen, nicht-flüchtig und kostengünstig sindsowie einen geringen Stromverbrauch aufweisen. Jedoch können realistischerweisein der Praxis nicht alle diese Ziele erreicht werden, und manche Kompromissesind unvermeidbar. Die jeweiligen Anwendungen geben vor, wie dieKompromisse aussehen sollten. Beispielsweise ist ein statischerDirektzugriffsspeicher (SRAM) schnell, was jedoch üblicherweiseeine niedrigere Dichte zur Folge hat. Dies ist bei CPU-Cachespeicheranwendungennützlich.Ein dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) weist eine hohe Dichteauf, ist jedoch nicht-flüchtig.Somit wird ein DRAM üblicherweisebei Hauptspeicheranwendungen fürMehrzweckcomputer verwendet.
    [0003] NeuereSpeichertypen wie z.B. magnetische Direktzugriffsspeicher (MRAM)sind inhärentnicht-flüchtig,müssenjedoch trotzdem noch Kompromisse zwischen Dichte, Zugriffsgeschwindigkeitusw. finden. Auf der Basis von unterschiedlichen magnetischen Phänomenen,z.B. einem anisotropen, einem Riesen- und einem Tunnelmagnetowiderstandwurden bisher drei Typen von MRAM entwickelt.
    [0004] Hierist der MRAM vom Tunnelmagnetowiderstandstyp von Interesse. EinKreuzpunktarray von Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellen (MJT-Speicherzellen,MJT = magnetic tunneling junction, magnetischer Tunnelübergang)ermöglichtein direktes Adressieren. Jede Zelle tritt als Widerstand auf, dervon dem gespeicherten digitalen Datenwert abhängt.
    [0005] DieherkömmlicheMJT-Speicherzelle weist zwei magnetische Schichten auf, die durcheinen elektrischen Isolator getrennt sind. Der Isolator ist so dünn, daß er zwischenden magnetischen Schichten, die er berührt, Tunnelströmen unterworfenist. Derartige Tunnelströmetreten als elektrischer Widerstand auf, der von dem Magnetfeld,das durch den Isolator schneidet, abhängt. Die obere und die untereMagnetschicht sind als Ellipsoide aufgebracht, so daß ihre Magnetisierungenin einer von zwei bevorzugten Richtungen auftreten, z.B. längsgerichtetbezüglichdes Ellipsoids.
    [0006] Dieuntere Magnetschicht ist mit einem Material einer hohen Koerzitivkrafthergestellt und wird währendeines Ausheilverfahrensschrittes in einer festgelegten Richtungdauerhaft magnetisiert. Die obere Magnetschicht umfaßt ein Materialeiner geringeren Koerzitivkraft und wird durch Spalten- und Reihen-Datenschreibströme, diean dem anvisierten Kreuzpunktarrayschnittpunkt übereinstimmen, in ihrer Magnetrichtung geflipp-flopptbzw. hin- oder hergewendet.
    [0007] DasMagnetfeld, das durch den Isolator erfahren wird, der zwischen deroberen und der unteren Magnetschicht angeordnet ist, liegt in einemvon zwei Zuständenvor, einem ersten, bei dem beide magnetischen Richtungen dieselbesind, und einem zweiten, bei dem die magnetischen Richtungen entgegengesetztsind. Das Magnetfeld wirkt sich auf die Leichtigkeit aus, mit derTunnelelektronen mit Eigenrotation (Spin) den Isolator durchtretenoder durchtunneln können.Somit kann der Zustand der oberen magnetischen „Daten"-Schichtgelesen werden, indem der elektrische Scheinwiderstand über denIsolator gemessen wird.
    [0008] MRAM-Technologievon Hewlett Packard umfaßtKreuzpunktarrays von MJT-Zellen, bei denen Differenzmessungen deselektrischen Widerstandes jeder MJT-Zelle gemessen werden.
    [0009] Fallsdie Ablesung bewirkt, daß sichdie magnetische Richtung der oberen Magnetschicht umkehrt, wirdein Strom erzeugt, der erfaßtwerden kann. Dies ermöglichtdann, daß einDatenschreibzyklus erzeugt wird, der die Bits, die während eines „Äquipotential"-Lesezyklus gestört werden,wiederherstellt.
    [0010] DasBauen von großenArrays von Speicherzellen war bisher ein Problem, da die Datenschreibströme, diebei bestimmten Zellen auftreten, anhand von Störleckpfaden durch nichtausgewählte Zellenverringert werden können.Die Bitleitungen und Wortleitungen verbinden zwei Reihen und Spaltenvon Speicherzellen, und die Speicherzelle an dem Schnittpunkt derausgewähltenBitleitung und der ausgewähltenWortleitung soll den gesamten Datenschreibstrom empfangen. Jedochkönnenauch andere Speicherzellen, die auf einer ausgewählten Bitleitung oder auf einerausgewähltenWortleitung liegen, an einem Leckpfad beteiligt sein, der sich nacheinanderdurch mehrere Speicherzellen schlängelt. Jede Speicherzelle trittals programmierbarer Widerstand auf, und diese können die einzelnen Bitleitungenund Wortleitungen belasten. Der praktische Effekt besteht darin,daß derartigeBit- und Wortleitungen in bezug auf ihre Länge beschränkt sind und daß somitdie Größe des Arraysebenfalls beschränktist. Ein weiterer Effekt besteht darin, daß die Betriebsreserven bzw. Ansprechgrenzenverringert sind.
    [0011] Eswird eine Schaltung benötigt,um derartige Leckströmezu begrenzen oder einzudämmen,so daß dieBit- und Wortleitungen nicht so belastet sind und größere Arrayshergestellt werden können.
    [0012] DieAufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtungensowie Verfahren zum Herstellen derselben zu schaffen, die verbesserteCharakteristika aufweisen.
    [0013] DieseAufgabe wird durch magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtungengemäß Anspruch1 oder 3 sowie durch Verfahren zum Herstellen derselben gemäß Anspruch4 oder 5 gelöst.
    [0014] Kurzgesagt umfaßtein Ausführungsbeispieleines magnetischen Direktzugriffsspeichers (MRAM) der vorliegendenErfindung magnetische Speicherzellen zum Umschalten zwischen zweiZuständenbeim Anlegen eines elektromagnetischen Feldes an Ausgewählte derZellen. Die magnetischen Speicherzellen sind mit elektrisch leitfähigen Leitungenzum Führenvon Datenschreibströmenverbunden. Der MRAM umfaßteine Mehrzahl von Dioden, die jeweils mit einer jeweiligen magnetischenSpeicherzelle verbunden sind. Solche Dioden beschränken einStromleck durch nicht-ausgewählteder magnetischen Speicherzellen.
    [0015] Dievorliegende Erfindung wird aus der folgenden Beschreibung einesAusführungsbeispielsder vorliegenden Erfindung näherverständlich.Die Beschreibung wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungenbereitgestellt.
    [0016] BevorzugteAusführungsbeispieleder vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend aufdie beiliegenden Zeichnungen nähererläutert.Es zeigen:
    [0017] 1 ein perspektivisches Diagrammeines Ausführungsbeispielseines magnetischen Direktzugriffsspeicherarrays der vorliegendenErfindung;
    [0018] 2 ein Querschnittdiagrammeiner magnetischen Speichervorrichtung, bei der die leckblockierendenDioden unter den MRAM-Zellen sind, die zu den Wortleitungen benachbartsind; und
    [0019] 3 ein Querschnittsdiagrammeiner Magnetspeichervorrichtung, bei der die leckblockierenden Dioden aufden MRAM-Zellen in der Näheder Bitleitungen liegen.
    [0020] 1 stellt ein Ausführungsbeispieleines magnetischen Direktzugriffsspeicher-Arrays (MRAM-Arrays) dervorliegenden Erfindung dar, das hierin durch das allgemeine Bezugszeichen 100 bezeichnetwird. Das MRAM 100 umfaßt ein Array von magnetischenSpeicherzellen 102 und leckblockierenden Dioden 104 in einerKreuzpunktanordnung. Jede Speicherzelle 102 basiert aufeiner Tunnelmagnetowiderstand-Technologie (TMR-Technologie, TMR= tunneling magneto resistance), bei der eine dielektrische SchichtTunnelströmeverwendet, die durch lokale Magnetfelder beeinflußt werden.Einzelne Zellen 102 werden für einen Lese-/Schreibzugangdurch die Wortleitungen 106 und 108 und durchBitleitungen 110 selektiv adressiert. Diese Bit- und Wortleitungenstellen Hunderte derartiger Leitungen dar, die das Kreuzpunktarraybilden und implementieren.
    [0021] Speicherzellenam Schnittpunkt von ausgewähltenBit- und Wortleitungen empfangen Datenschreibströme. Der gelieferte Strom isteine Funktion der angelegten Spannung und des Pfadwiderstandes,der dort vorliegt. Ein minimaler Strom wird benötigt, um Daten in eine beliebigeZelle datenzuschreiben, und der für eine derartige Zelle zurVerfügungstehende überschüssige Stromist ihre Betriebsreserve. Jedoch kann ein e) zu hohe r) Spannungbzw. Strom unbeabsichtigte Daten in nicht-ausgewählte Zellen datenschreiben.Eine zu niedrige Spannung oder ein zu niedriger Strom können zuzufälligenoder konstanten Versagensfällenbeim Datenschreiben von Daten in ausgewählte Zellen führen.
    [0022] Dieleckblockierenden Dioden 104 sind in Sperrichtung gepoltund verhindern, daß Störströme in nicht ausgewählten Zellen 104 fließen. Zudiesem Zweck könnenverschiedene Arten von Dioden und Transistoren verwendet werden.Die Dioden 104 könnenShottky-Dioden oder Dioden anderer Typen sein. Transistoren könnten ebenfallsverwendet werden, um Leckströmedurch unbeabsichtigte Pfade in dem Speicherarray einzudämmen. Beidiesem Beispiel sind einzelne Dioden 104 mit Zellen 102 zwischenjeweiligen Wort- und Bitleitungen in Reihe geschaltet.
    [0023] Wennein Datenschreibstrom an die Bitleitung 110 angelegt wird,umgibt ein Magnetfeld dieselbe. Dies wird verwendet, um die magnetischenSpeicherzellen 102 durch Umschalten der Permanentmagnetdatenschichtzu der entgegengesetzten Polarisierung umzukehren. Binäre Informationenkönnensomit als Funktion der Richtung des Magnetfeldes gespeichert werden,das durch den an die Bitleitung 110 angelegten Strom erzeugtwird.
    [0024] Störstrompfadekönnendurch mehrere der magnetischen Speicherzellen in einem Array existieren. EinTeil eines Datenschreibstroms, der durch eine ausgewählte Reiheoder Spalte gelenkt wird, leckt üblicherweiseauch durch opportunistische Pfade, die sich um ausgewählte Bit-und Wortleitungen schlängeln.Diese Strömekönnendann überdas Array lecken. Da die Verteilung derartiger Ströme nichtvorhersehbar ist, ist sie überdas Array hinweg auch nicht gleichmäßig. Der Datenschreibstrom,den eine ausgewähltemagnetische Speicherzelle in der Tat aufweist, ist eine Funktionihrer Position in dem Array.
    [0025] BeiAusführungsbeispielender vorliegenden Erfindung blockieren Dioden 104 die meistenoder alle diese Störleckpfadedurch nicht-ausgewählteZellen in dem Array. Die Leckströmesind im Vergleich zu MRAMs ohne derartige Dioden verringert. JeglicheUngleichmäßigkeitder verteilten Datenschreibströmefür verschiedenemagnetische Speicherzellen in dem Array ist ebenfalls verringert.Somit wird es möglich,magnetische Speicherarrays mit größeren Anzahlen von Zellen und/oderbesseren Betriebsreserven herzustellen.
    [0026] DieDioden sind so ausgewählt,daß sichdie Datenschreibströmean der Position jeglicher ausgewähltenmagnetischen Speicherzelle des Arrays um weniger als 10 % von demeiner weiteren ausgewähltenmagnetischen Speicherzelle unterscheiden. Um die Abhängigkeitder Stromungleichmäßigkeitvon der Anzahl von Reihen und Spalten vorauszusagen, leiteten dieErfinder Gleichung 1,
    [0027] DerMRAM 100 kann ein quadratisches Array von magnetischenSpeicherzellen und Spalten und Reihen von magnetischen Speicherzellensein. Diese sind miteinander verbunden, z.B. durch die Bitleitung 110 unddie Wortleitungen 106 und 108. In einem Fall könnte derWiderstand jeder magnetischen Speicherzelle Rm =1MΩ betragen,und der Widerstand jeder Reihe oder Spalte könnte Rr =113MΩ betragen.Es werden Kupfermetallisierungen verwendet, so daß der Leitungswiderstandim Vergleich zu dem der Reihen und Speicherzellen relativ geringist.
    [0028] Fallsder Sperrvorspannungswiderstand der Dioden 104 zehnmalgrößer istals der Widerstand der magnetischen Speicherzellen 102,beträgtdie Konstante KDR bei Gleichung 1 10,0.Gleichung 1 gibt an, daß diemaximale Arraygröße 3.435mal 3.435 wäre,wenn eine maximale Stromungleichmäßigkeit von 10 % gegeben wäre und wenn ε = 0,1.
    [0029] Wenndas Array 100 die Dioden 104 nicht enthielte,wäre dieKonstante, KDR, Null, und die Gleichung 1sagt voraus, daß dasmaximal möglicheArray 1.402 mal 1.402 betragen würde.Ein ähnlichesArray ohne die Dioden 104 wäre auf eine klei nere Anzahlvon Reihen und Spalten beschränktund hätteeine Datenschreibstromungleichmäßigkeit,die schlechter wäreals 10 %.
    [0030] 1 umfaßt einen Datenschreibgenerator 112,der einen Datenschreibstrom durch die Bitleitung 110 ausgibt.Die Schaltung kann auch einen Strom durch die Wortleitungen 104 und 106 erzeugen.(Für dieWortleitungen 106 und 108 sind keine elektrischenVerbindungen mit dem Datenschreibgenerator 112 gezeigt.)
    [0031] Obwohldies nicht in 1 veranschaulichtist, umfaßtder MRAM 100 üblicherweiseeine Leseschaltung zum Erfassen des Widerstands von ausgewählten Speicherzellen 102.Währendeiner Leseoperation wird an die Bitleitung 110 eine konstanteSpannung angelegt und durch die Leseschaltung erfaßt. Eineexterne Schaltung kann die konstante Versorgungsspannung liefern.
    [0032] 2 stellt eine Magnetspeichervorrichtung 200 darund ist ähnlicheinem Abschnitt der Bitleitung 110, der Speicherzelle 102,der Diode 104 und einem Teil der Wortleitung 108 (1). Die Vorrichtung 200 umfaßt einemagnetische Speicherzelle 202 und eine Dünnfilmdiode 204 über einerWortleitung 206. Die Dünnfilmdiode 204 istmit der magnetischen Speicherzelle 202 und der Wortleitung 206 elektrischin Reihe geschaltet.
    [0033] Diemagnetische Speicherzelle 202 umfaßt eine umschaltbare magnetische „Daten"-Schicht 208,eine dünnedielektrische Tunnelschicht 210 und eine nicht-schaltbaremagnetische „Referenz"-Schicht 212.Die Datenschicht 208 ist darunter mit einer Bitleitung 214 verbunden.
    [0034] DieDiode 204 umfaßteine Region 216 vom n-Typ und eine Region 218 vomp-Typ, um einen gleichrichtenden P-N-Übergang zu bilden. Die Regionenvom n-Typ und vom p-Typ sind dotiertes amorphes Silizium, z.B. mitBor fürden p-Typ und mit Phosphor oder Arsen für den n-Typ. Die Regionen undihre Kontaktbereiche betragen üblicherweise140 nm × 300nm.
    [0035] Beieiner Vorspannung in Durchlaßrichtungbeträgtdie Impedanz der Diode etwa 10 % dessen, was die magnetische Speicherzelle 202 ausdrückt. Beieiner Vorspannung in Sperrichtung beträgt der Widerstand mehr alsdas Zehnfache des Widerstands der magnetischen Speicherzelle 202,z.B. füreine Spannungsbandbreite von 0,5 bis 1,0 Volt.
    [0036] DieDatenschicht 208 umfaßtNickeleisen, die Referenzschicht 212 umfaßt Kobalteisenund die dielektrische Schicht 210 umfaßt Aluminiumdioxid. Alle Schichtenweisen dieselbe planare Flächevon etwa 140 nm × 300nm auf, und die Referenzschicht 212, die Datenschicht 208 unddie dielektrische Schicht 210 weisen eine Dicke von etwa2,0 nm, 3,5 nm und 1,2 nm auf. Der Widerstand der magnetischen Speicherzelle 202 beträgt etwaein Megohm. Die Wort- und Bitleitungen 206 und 214 umfassenKupfermetall.
    [0037] 3 stellt einen Abschnitteiner Magnetspeichervorrichtung 300 dar, die ähnlich denjenigenin 1 und 2 ist. Im wesentlichen ist eine leckblockierendeDiode auf jeder Speicherzelle und nicht unter derselben gestapelt.Eine magnetische Speicherzelle 302 ist einer Dünnfilmdiode 304 zugeordnet,und beide sind unter einer Bitleitung 306 positioniert.Die magnetische Speicherzelle 302 umfaßt eine Datenschicht 308,eine dünne dielektrischeTunnelschicht 310 und eine magnetische Referenzschicht 312.Die Dünnfilmdiode 304 umfaßt eineRegion 316 vom n-Typ und eine Region 318 vom p-Typ.
    [0038] Diemagnetische Speicherzelle 302 kann weitere Schichten umfassen,die zwischen der magnetischen Speicherzelle 302, der Diode 304 undder Bitleitung 306 angeordnet sind. Die Reihenfolge derRegion vom n-Typ und der Region vom p-Typ kann je nach den verwendetenPolaritätenumgekehrt werden.
    [0039] Allgemeinsind die Dioden so ausgewählt,daß dieDatenschreibströme,die Unterschiedlichen der magnetischen Speicherzellen zugeordnetsind, um weniger als 15 %, idealerweise 10 % oder weniger, voneinanderabweichen.
    [0040] Jedenicht-lineare Diode kann mit einer jeweiligen magnetischen Speicherzellein Reihe geschaltet sein und mit einer Wort- oder Bitleitung undder jeweiligen magnetischen Speicherzelle in Reihe geschaltet sein.Jede nicht-lineare Diode ist zwischen der Bit- oder Wortleitungund der jeweiligen magnetischen Speicherzelle positioniert.
    [0041] DieDioden könnenDioden sein, die Shottky-Dioden und jegliche Art von Dünnfilmdiodenumfassen, könnenalternativ dazu jedoch auch beliebige Elemente sein, die strombegrenzendeEigenschaften aufweisen, die von der Richtung des Stroms abhängen.
    [0042] JedeDiode weist eine in Sperrichtung vorgespannte Impedanz auf, diedas Zehnfache oder mehr des Widerstands der jeweiligen magnetischenSpeicherzelle beträgt.Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel istder Widerstand jeder magnetischen Speicherzelle eventuell nur größer alsdas Fünffacheoder größer als dasDoppelte des Widerstands der magnetischen Speicherzelle.
    [0043] EinAusführungsbeispieleines Verfahrens der vorliegenden Erfindung isoliert jede einzelneSpeicherzelle in einem MRAM-Array elektrisch, bis sie ausgewählt wird.Manche Ausführungsbeispieleverwenden in Reihe geschaltete Dioden für eine derartige elektrischeIsolierung. Lediglich eine Ausgewählte der Speicherzellen führt danneinen Strom zwischen jeweiligen der Bit- und Wortleitungen. Es ergibtsich eine bessere, gleichmäßigere Verteilungvon Lese- und Datenschreib-Datenzugriffsströmen auf alle Speicherzellen.Bei einem Ausführungsbeispielwird diese Verbesserung verwendet, um die Anzahl von Reihen undSpalten zu erhöhen,um ein größeres Datenarrayzu unterstützen.Bei einem anderen Ausführungsbeispielwird eine derartige Ausführungsbeispielwird eine derartige Verbesserung verwendet, um Betriebsreservenzu erhöhenund notwendige Datenschreibspannungen und -ströme zu verringern.
    [0044] Obwohldie vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte Beispielebeschrieben wurde, werden Fachleute erkennen, daß die vorliegende Erfindungauch in vielen anderen Formen verkörpert werden kann. Beispielsweisekönnendie magnetischen Speicherzellen auf CMR-Technologien (CMR = colossalmagneto resistance, kolossaler magnetoresistiver Effekt) oder GMR-Technologien(GMR = giant magneto resistance, gigantischer magnetoresistiverEffekt) basieren.
    权利要求:
    Claims (5)
    [1] Magnetische Direktzugriffsspeicher-Vorrichtung(MRAM-Vorrichtung),die folgende Merkmale aufweist: ein Array von magnetischenSpeicherzellen (102), die Daten als unterschiedliche Impedanzwertespeichern; ein Gitter von Bit- und Wortleitungen (106, 108, 110)zum selektiven Zugreifen auf Daten in dem Array von magnetischenSpeicherzellen (102); und eine Mehrzahl von Dioden(104), wobei jede seriell zu einer jeweiligen der magnetischenSpeicherzellen (102) und zwischen Entsprechende des Gittersvon Bit- und Wortleitungen (106, 108, 110)geschaltet ist; wobei die Anzahl von Bit- und Wortleitungen(106, 108, 110), die in dem Gitter möglich ist,durch die Aufnahme der Mehrzahl von Dioden (104) erhöht wird,die Leckströme,die durch Nicht-Ausgewählteder magnetischen Speicherzellen (102) zirkulieren, verringern.
    [2] Der MRAM gemäß Anspruch1, bei dem eine Verteilung von Datenschreibströmen in dem Gitter (106, 108, 110),die Verschiedenen der magnetischen Speicherzellen (102)zugeordnet sind, überdas Array im Betrieb weniger als 15 % schwankt.
    [3] Magnetische Direktzugriffsspeicher-Vorrichtung (MRAM-Vorrichtung), diefolgende Merkmale aufweist: ein Array von magnetischen Speicherzellen(102), die Daten als unterschiedliche Impedanzwerte speichern; einGitter von Bit- und Wortleitungen (106, 108, 110)zum selektiven Zugreifen auf Daten in dem Array von magnetischenSpeicherzellen (102); und eine Mehrzahl von Dioden(104), wobei jede in Serie zu einer jeweiligen der magnetischenSpeicherzellen (102) und zwischen Entsprechende des Gittersvon Bit- und Wortleitungen (106, 108, 110)geschaltet ist; wobei eine Betriebsreserve für jede Speicherzelle(102) durch die Aufnahme der Mehrzahl von Dioden (104) erhöht wird,die Leckströme,die durch Nicht-Ausgewählte dermagnetischen Speicherzellen (102) zirkulieren, verringern.
    [4] Verfahren zum Herstellen von MRAM-Vorrichtungen,das folgende Schritte umfaßt: elektrischesIsolieren jeder einzelnen Speicherzelle (102) in einemMRAM-Array währendeines Betriebs, bis sie ausgewähltwird, wobei eine gleichmäßigere Verteilungvon Lese- und Datenschreib-Datenzugriffsströmen auf ausgewählte Bit-und Wortleitungen (106, 108, 110) für alle derartigenSpeicherzellen (102) resultiert; und Erhöhen derAnzahl von Reihen und Spalten, um ein größeres Datenarray zu unterstützen.
    [5] Verfahren zum Herstellen von MRAM-Vorrichtungen,das folgende Schritte umfaßt: elektrischesIsolieren jeder einzelnen Speicherzelle (102) in einemMRAM-Array währendeines Betriebs, bis sie ausgewähltwird, wobei eine gleichmäßigere Verteilungvon Lese- und Datenschreib-Datenzugriffsströmen auf ausgewählte Bit-und Wortleitungen (106, 108, 110) für alle derartigenSpeicherzellen (102) resultiert; und Erhöhen vonBetriebsreserven, um minimale Datenschreibspannungen und -ströme zu verringern.
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